現(xiàn)在氮化鎵充電器已經(jīng)逐漸開始普及到我們的生活中，各大廠商也都在積極地推出相關(guān)產(chǎn)品，那么氮化鎵充電器比普通充電器快嗎？下面小編將為大家?guī)淼壋潆娖骱推胀ǔ潆娖鲄^(qū)別介紹，感興趣的朋友一起來看看吧！
作為新被發(fā)現(xiàn)的第三代半導體材料之一，氮化鎵（GaN）可以說是除了第一代半導體材料硅（Si）和第二代半導體材料砷化鎵（GaAs）之后、最具備應用前景的材料。
從元素組成的角度來說，氮化鎵（GaN）就是由Ga和N兩種元素組成的化合物，分別位于元素周期表的第三主族和第五主族，具備非常高的硬度、1700℃的高熔點和穩(wěn)定的相態(tài)。這是氮化鎵（GaN）材料的第一個優(yōu)點。
在半導體領(lǐng)域中，寬禁帶半導體一般指的是半導體禁帶寬度超過2.3eV的材料，目前滿足這個標準的材料就包括氮化鎵（GaN）。此外，氮化鎵（GaN）的禁帶寬度也要遠遠大于硅（Si）和砷化鎵（GaAs），約為硅（Si）材料的3倍。這意味著氮化鎵（GaN）在高溫度和強輻射的情況下本征激發(fā)載流子的能力有限?？吹竭@里估計很多人已經(jīng)看暈了，翻譯成我們?nèi)粘Ｄ芾斫獾囊馑季褪?mdash;—耐高溫能力強，這也是氮化鎵（GaN）材料被廣泛應用在高溫功率器件的原因。
氮化鎵（GaN）材料還具備介電常數(shù)小的優(yōu)點。介電常數(shù)用來衡量設(shè)備本身的電容荷載，介電常數(shù)小則說明同等面積下設(shè)備的自身電容小，進而說明設(shè)備的可使用面積能得到優(yōu)化，這也是解釋了為什么快充的體積由最初的大塊頭到如今的隱形眼鏡盒大小。
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