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三星ddr5內(nèi)存上市時(shí)間 ddr5內(nèi)存條最新消息

來源: 用戶提交 時(shí)間:2023-06-07 01:27:13 手機(jī)版

說到內(nèi)存條三星可謂是首屈一指,三星的內(nèi)存條在業(yè)內(nèi)一直是頂尖的存在,無論是讀寫速度還是頻率一直是這一塊的高端產(chǎn)品,而現(xiàn)在因?yàn)閐dr5的逐漸流行,三星在這方面也在大力研發(fā),目前正式揭曉了單條512GB的DDR5內(nèi)存,下面小編將為大家?guī)砣莇dr5內(nèi)存上市時(shí)間以及ddr5內(nèi)存條最新消息,感興趣的朋友一起來看看吧!

1.ddr5內(nèi)存條最新消息

在今日的 HotChips 33 上,AMD 等一眾行業(yè)巨頭均有參會(huì),其中三星便揭曉了業(yè)內(nèi)首款單條 512GB 的 DDR5 內(nèi)存條(消費(fèi)級(jí) 64GB),采用標(biāo)準(zhǔn) JEDEC DDR5-7200 時(shí)序,頻率更是高達(dá) 7200MHz。

據(jù)介紹,三星這個(gè) 512 GB 的 DDR5 內(nèi)存專為服務(wù)器和企業(yè)使用而設(shè)計(jì),比起現(xiàn)今市場(chǎng)上最高端的 256 GB 模塊更上一層樓,但為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),三星一直在引入一些新特性和功能,恐怕其價(jià)格會(huì)讓常人難以企及。

2.三星DDR5介紹

三星 DDR5-7200 內(nèi)存采用 8 顆堆疊 DDR5 芯片,并通過 TSV 互連。

之前 DDR4 最多為四顆 DDR4 Die,所以目前來看 DDR5 更加密集(堆棧尺寸為 1.0mm,DDR4 為 1.2mm),能夠減少 40% 的間隙,從而降低堆棧的高度。與DDR4相比,三星的 DDR5-7400 內(nèi)存僅用 1.1V 的電壓就達(dá)到了 DDR4  140% 的性能和兩倍的容量,似乎除了貴真的沒什么缺點(diǎn)。

3.總結(jié)

隨著ddr5這樣的發(fā)展速度,相信要不了多久我們就能用上大儲(chǔ)存的內(nèi)存條了,讓我們一起期待吧

以上就是小編為大家?guī)淼年P(guān)于三星ddr5內(nèi)存上市時(shí)間以及ddr5內(nèi)存條最新消息的介紹,希望對(duì)大家有所幫助,小編在這里提醒大家文章內(nèi)容僅供參考,了解更多相關(guān)咨詢,請(qǐng)關(guān)注香煙網(wǎng)。

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